دیتاشیت PMWD19UN,518

PMWD19UN

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PMWD19UN
حجم فایل 250.231 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

دانلود دیتاشیت PMWD19UN

PMWD19UN Datasheet

مشخصات

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: 2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1478pF @ 10V
  • Power - Max: 2.3W
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Supplier Device Package: 8-TSSOP
  • Base Part Number: PMWD19
  • detail: Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.6A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP

دیتاشیت محصولات مشابه